芯片战争-时间轴

准备看完中外两本《芯片战争》，边看边记录。

• 1883年
  • 爱迪生发现加热的金属片与正极相连时会产生微弱电流，于是注册了专利，命名为“爱迪生效应”
• 1897年
  • 英国物理学家约瑟夫·约翰·汤姆生（Joseph John Thomson）发现了电子，人们才明白爱迪生效应是电子从加热的灯丝表面逃逸，被金属片捕获的结果，当金属片连接电源负极，同极相斥，也便不会接收来自灯丝的电子。爱迪生效应因此有了一个更专业的名字——热电子发射（Thermionic emission）
• 1904年
  • 英国物理学家弗莱明发明了真空二极管
• 1906年
  • 德·福雷斯特在真空二极电子管里，发明了真空三极电子管
• 1913年
  • 7月，AT&T 买下了三极管专利
• 1925年
  • AT&T 成立了“贝尔电话实验室公司”，就是后来大名鼎鼎的“贝尔实验室”
• 1932年
  • IBM发明了“磁鼓存储器”
• 1942年
  • 美国科学家阿塔纳索夫发明了第一台电子计算机阿塔纳索夫-贝瑞计算机（Atanasoff–Berry Computer，通常简称ABC计算机）
• 1946年
  • 2月14日，宾夕法尼亚大学开发出了世界上第一台通用电子计算机“埃尼阿克”(ENIAC)
• 1947年
  • 12月，约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了用锗制成的可替代真空管的点接触式晶体管(transistor)
• 1949年
  • 王安发明了“磁芯存储器”
• 1953年
  • 11月16日，曼彻斯特大学汤姆·基尔伯恩（Tom Kilburn）手下的理查德·格里姆斯代尔（Richard Grimsdale）和道格拉斯·韦伯（Douglas Webb）展示了全球第一台全晶体管计算机 Manchester TC
  • 索尼试制的晶体管成本为一个11美元
• 1954年
  • 贝尔实验室开发了晶体管计算机TRADIC
  • 2月，蒂尔研制出了第一个可商用的硅晶体三极管
• 1955年
  • 贝尔实验室的朱尔斯·安德鲁斯和沃尔特·邦德合作实现了在硅片上用光刻加工出电子元器件的方法
• 1957年
  • “八叛逆”创办了仙童半导体公司
• 1958年
  • 9月12日，基尔比成功做出了现代电子工业的第一个用单一材料制成的集成电路
• 1959年
  • 1月23日，“八叛逆”的领袖、领导仙童的诺伊斯也有了发明集成电路的想法
  • 2月，德州仪器率先发布芯片产品
  • 贝尔实验室的科恩（Dawon.Kahng）和马丁.阿塔拉（Mohamed M. Atalla）发明了MOSFET（中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管）
  • 日本晶体管产量达到8650万个，产值约4445万美元，每个售价仅为0.5美元
• 1960年
  • 12月，日本通产省下属的工业技术院电气试验所成功研制出日本第一块芯片
• 1961年
  • 美国地球物理学公司(GCA)造出了第一台重复曝光光刻机(photo repeater)——能够定位到1微米的精度
• 1962年
  • 德州仪器为“民兵”导弹制导系统供应了22套芯片，这是芯片第一次在导弹制导系统中使用
  • 日本电气(NEC，简称日电)从仙童买来平面光刻技术的授权，从零起步，三年做到了5万块的芯片年产量。日电同时还研制了多个型号的计算机，成为日本计算机市场的领导者
• 1963年
  • 中国人萨支唐与下属弗兰克·万拉斯共同在MOSFET的基础上发明了“互补金属氧化物半导体场效应管”(CMOSFET)
• 1964年
  • 4月7日，IBM推出第一款小规模集成电路计算机System-360，每秒运算速度超过百万次大关
  • 仙童公司在中国香港开设了第一家海外工厂，芯片的成本开始大幅持续下降，直到对晶体管等分立器件取得优势
• 1965年
  • 戈登·摩尔发表了“摩尔定律”——芯片上的晶体管密度，每隔一年就能翻上一倍。
• 1966年
  • 日立公司就与美国无线电公司合作研制并发布了15微米制程的MOS芯片，用于计算器的生产
  • 飞利浦物理实验室正式对光刻机进行立项
• 1968年
  • 6月，IBM注册了内存的发明专利
  • 摩尔和诺伊斯离开了仙童，创办了英特尔(Intel)。公司名称来自“集成电子学”(Integrated Electronics)的缩写
• 1969年
  • 美国联邦法院认定集成电路是一项“同时”的发明。基尔比被认为是“第一块集成电路的发明者”，而诺伊斯则“提出了集成电路适合工业生产的理论”
  • 7月16日，阿波罗11号飞船飞往月球，整个登月计划耗用了100万块芯片
  • 德州仪器半导体中心的首席工程师L.J.Sevin（MOS场效应管专家），拉着一帮同事辞职，在马萨诸塞州成立了莫斯泰克（Mostek）公司
• 1970年
  • 日电的芯片年产量达到4000万块
  • 英特尔在自己的3英寸晶圆厂成功量产了划时代的1K容量的内存1103
• 1973年
  • 拿到美国军方投资的珀金埃尔默科学仪器公司(Perkin Elmer)率先推出了第一台投影式光刻机
• 1974年
  • 法金设计出首款商业化的8位单芯片微处理器8080
• 1975年
  • 戈登·摩尔修正了“摩尔定律”—— 从“每年”修正为“每两年”，但后来人们常使用“18个月”
  • 爱德华·罗伯茨率先使用8080做出了一台家用电脑，美国的大众电子杂志将其命名为“牛郎星”(Altair)
  • 佳能率先做出分辨率可达0.8微米的镜头，这也是全世界首次实现1微米以下的曝光
• 1976年
  • 4月1日，沃兹和乔布斯推出了“APPLE I”
  • 6月，台湾工研院耗资5亿台币，主持了台湾第一座3英寸晶圆、7微米制程示范工厂的兴建
  • 日本启动了“下世代电子计算机用超大规模集成电路”(VLSI)研究开发计划
• 1977年
  • 苹果公司发布了“APPLE II”
• 1978年
  • 6月8日，Intel发布第一款16位微处理器：8086（亦称之为iAPX 86）
  • 四个前莫斯泰克公司的员工在博伊西一家牙科诊所的地下室里创立了美光
  • GCA公司推出了世界第一台自动化步进投影式光刻机(stepper)——DSW4800
• 1979年
  • Intel 推出了Intel 8088
• 1980年
  • 台湾联华电子股份有限公司成立，它引进了4英寸晶圆生产线，是一家既做芯片设计，又做芯片生产的垂直整合制造工厂(IDM)，也是台湾工研院衍生的第一家公司
• 1981年
  • IBM通过对苹果二号电脑的模仿，强势进入家用电脑市场。IBM将其电脑命名为IBM PC机
  • 超威净利润下滑三分之二，美国国家半导体公司亏损1100万美元
• 1982年
  • Intel 推出了第一款具有完全兼容性的处理器 80286
  • 日本成为全球最大的内存生产国
  • 英特尔裁员2000人
  • 美国刚刚研制出256K内存，日本富士通和日立的256K内存已经批量上市
  • 韩国政府颁布类似日本VLSI计划的“半导体产业振兴计划”
  • 现代集团投资4亿美元启动半导体项目
  • IBM的坎蒂·贾恩提出了用波长更短的深紫外光(DUV)，也就是准分子激光(Excimer Laser)来进行光刻
• 1983年
  • 三星电子大规模兴建位于器兴的晶圆厂，正式进军内存市场
• 1984年
  • 东芝的舛冈率先提出了NOR型闪存的概念
  • 现代电子从硅谷华人陈正宇手中购买了16K/64K SRAM的设计，开发出16KSDRAM芯片并实现量产
  • 4月1日，由飞利浦的光刻机项目剥离而来的阿斯麦尔公司成立了
• 1985年
  • Intel 推出了第一代32位处理器80386
  • 东芝发明了全球第一款真正意义上的笔记本电脑
  • 美元贬值降低了美国的购买力，引发世界经济衰退，全球半导体产业转入萧条，半导体产品价格大幅度下跌
  • 10月，美国商务部出面指控日本公司倾销256K和1M内存
  • 三星电子从濒临破产的美光手中拿到了256K内存技术的授权，只用了7个月就完成了这一产品的量产
• 1986年
  • 日本半导体产值已大幅超越美国，并且在全球半导体产业中所占的份额超过了一半
  • 日本通产省被迫与美国商务部签署第一次《美日半导体协议》
  • 英特尔关闭了8家工厂中的7家，解雇了7200名员工，亏损超过1.7亿美元
  • 韩国政府将4M内存列作国家项目
  • 现代电子成为韩国继三星电子之后的第二家量产64K内存的制造商
  • 5月7日，阿斯麦尔的第二代光刻机问世（能够生产VLSI芯片的PAS2500）
  • 贝尔实验室研制出第一台准分子激光分步投影光刻机的实验机型
• 1987年
  • 美日贸易冲突升级，美国宣称日本并没有完全遵守《美日半导体协议》
  • 由美国国防部高级研究计划局每年提供1亿美元的预算补贴，牵头联合英特尔、德州仪器、IBM、摩托罗拉等14家公司组成半导体制造技术战略联盟(SEMATECH)
  • 舛冈提出NAND型闪存的概念
• 1988年
  • 三星半导体&无线通信合并进三星电子
• 1989年
  • Intel 推出了80486处理器
  • 第一款固态硬盘(SSD)问世，当时用的还是NOR闪存芯片，后来则都改用NAND闪存芯片
  • 三星电子实现了4M内存的量产，赶上了东芝的进度，达到了世界领先水平
  • 宏碁与德州仪器合资31亿台币设立德碁半导体，双方分别占股74%和26%，由德州仪器提供技术，在新竹园区建设6英寸晶圆厂，生产1M内存产品
• 1990年
  • 全球前10大半导体企业中，有6家来自日本，日电、东芝和日立占据了前3(IC Insights数据)
  • 微软推出了 windows 3.0
  • 在美国顾问建议下，台湾启动了“次微米制程技术发展五年计划”，目标是砸下59亿台币，攻克8英寸晶圆0.5微米制程技术，获得4M SRAM、16M内存的自主技术和生产能力
  • 8月，中国国务院决定在在“八五”（1990-1995）期间推动半导体产业升级，促成中国半导体产业进入1微米下工艺制造时代。这就是著名的“908工程”
• 1991年
  • 柯达试制成功世界第一台数码相机（闪存在新生的数码相机领域得到了第一个大市场）
• 1992年
  • 英特尔销售额为58亿美元，实现了对日本芯片企业的反超，登上全球最大半导体企业的宝座(Dataquest数据)，从此一坐就是二十五年
  • 5月，阿斯麦尔已经花光了前一年荷兰政府提供的1900万美元技术开发信贷，又到了发不出工资的地步
• 1993年
  • Intel 推出了划时代的奔腾(Pentium)处理器
  • 美国政府发布了“国家出口战略”，半导体、计算机、通信等6大产业被列为国家重点出口产业，减少政府对技术领先产业的出口管制，提供贸易融资、贸易咨询服务等措施，以扩大美国企业的产品出口，强化美国企业的国际竞争力
  • 韩国政府制定了《21世纪电子发展规划》，明确了电子产业自力更生的方针，规定不再批准从国外购买电子设备和给外方建设电子工厂工程的合同，在非引进不可的特殊情况下，韩国电子企业必须联合起来共同承包
• 1994年
  • 12月，为了落实工研院的次微米计划研发成果，台湾的经济主管部门决定由台积电等13家公司合股投资180亿台币，在新竹园区成立世界先进积体电路股份有限公司(简称世界先进)，建设台湾第一座8英寸晶圆厂，以内存为主营业务
• 1995年
  • 阿斯麦尔的股票在阿姆斯特丹及纽约同步上市
  • 日本本国经济出现问题，房市股市泡沫破裂
  • 3月，南亚科在台北县南林园区成立，拥有月产能3万片的8英寸晶圆内存厂，从生产16M内存起步，技术来自日本冲电气(OKI)的授权
  • 年底，中国启动了推动半导体产业发展的“909工程”
• 1996年
  • 阿斯麦尔推出了深紫外光版本的PAS5500
• 1997年
  • 超威突然推出K6处理器
  • IBM宣布研制成功以铜代铝制作晶体管的新生产工艺
  • 10月，韩国外债高达1100亿美元，其中三分之二是短期外债，而外汇储备仅有300亿美元
  • 12月3日，走投无路的韩国政府宣布无条件接受国际货币基金组织提供的570亿美元解困方案
• 1998年
  • 阿斯麦尔的市值突破50亿美元
  • 英伟达(Nvidia)将显卡交给台积电代工
  • 3月31日，韩国执行了国际货币基金组织提供援助的最核心要求，正式宣布全面对外开放金融业
  • 7月，南亚科在内存市场最低迷的时候，开工建设第二座8英寸晶圆厂，并与IBM签订了0.18微米64M内存的技术授权协议
• 1999年
  • 英特尔的市值达到5090亿美元（历史最高峰）
  • 超威率先做出的1GHz主频的K7处理器
  • 宏碁将德碁出售给了台积电，账面获利超过200亿台币
  • 年底，三星集团实现了27亿美元的利润
  • 12月，由日本通产省牵头，日电和日立这一对难兄难弟剥离各自的内存部门，合资成立专门生产内存的公司尔必达
• 2000年
  • 全球芯片制造正在从8英寸转进12英寸，建一条普通12英寸线的成本高达15亿美元，建两条12英寸线的钱都够建造一艘航空母舰了
  • 超威开发出K8处理器，是业界第一款X86架构的64位微处理器
  • 王文洋在上海成立了宏力半导体公司，投资建设8英寸晶圆厂
  • 8月，阿斯麦尔的首台TWINSCAN系统光刻机出货，这是阿斯麦尔的一个重大技术突破，也是光刻机行业的一大进步（阿斯麦尔创新为双工件台，在一个工件台进行12英寸晶圆曝光的同时，另外一个工件台进行曝光之前的预对准工作，生产效率可惊人地提高大约35%）
  • 8月，南亚科的64M内存开始大量投片，良品率达到70%
  • 12月，阿斯麦尔才获得首个来自日本市场的订单
• 2001年
  • 全球互联网泡沫破裂，内存价格狂跌
  • 南亚科亏损116亿台币，依靠台塑集团筹集巨资才渡过难关
  • 夏普首次推出20英寸以上尺寸的液晶电视
  • 6月，东芝开发出了只有1.8英寸见方、拥有5G容量的NAND闪存
• 2002年
  • 在比利时举行的一场国际光电学会技术研讨会上，林本坚抛出了制造134纳米波长的光波的方法
  • 三星电子的市值超越索尼，这被视为韩国电子工业超越日本的一个重大的标志性事件
  • 美国司法部立案调查过去三年间三星电子、美光、海力士、英飞凌、尔必达等公司北美销售人员串谋控制内存价格事宜
  • 南亚科凭借成本优势盈利100亿台币，成为台湾当时5大内存厂中唯一盈利的厂商
• 2003年
  • 世界先进累计亏损达194亿台币，将股本全部亏光，被迫退出了内存生产
  • 1月，南亚科与英飞凌合资成立华亚科，双方各占股46%，投资22亿美元建设12英寸晶圆厂，产能由双方平分
  • 年底，美光控告海力士接受韩国政府的支持
• 2004年
  • 阿斯麦尔的浸没式光刻机改进成熟并顺利投入使用
• 2005年
  • 年底，苹果给海力士、英特尔、美光、三星电子和东芝这5家公司每家2.5亿美元，以确保iPod和即将上市的iPhone得到NAND闪存的长期稳定供应
• 2006年
  • 12月，力晶与尔必达合作成立瑞晶电子
• 2007年
  • 阿斯麦尔成功击败尼康，成为全球光刻机市场的新霸主
  • 8月，由美国次贷危机引发的金融风暴席卷全球，全球芯片市场规模在两年内从2500亿美元跌到2200亿美元，内存价格出现雪崩
• 2009年
  • 阿斯麦尔已经占据全球光刻机70%的市场份额
• 2012年
  • 年初，韩国最大的电信运营商也是韩国第三大企业SK电讯以30亿美元收购海力士21%的股份，从而入主这家内存大厂，并将之改名为SK海力士
  • 7月12日，美光宣布25亿美元援购尔必达，跃升第二大DRAM供应商
• 2015年
  • 12月，美光以32亿美元的高价收购南亚科持有的华亚科67%的股份
• 2019年
  • 韩国人均GDP达到3.2万美元，是1997年金融危机前夕的2.4倍